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半导体集成电路和非易失性存储器元件

申请号: CN00803360
申请日: 20000119
公开(公告)号: CN1339160A
公开(公告)日: 20020306
IPC分类号: G11C16/06
主分类号: G11C16/06
申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
发明人: 宿利章二;小森和宏;奥山幸祐;久保田胜彦
优先权号: JP 23631/99
优先权日: 20080102
地区: 日本;JP
申请人地址: 日本东京
代理人: 王永刚
专利代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
一种构成快速存储器的非易失性存储器元件 (130),可如此构成,在相同半导体衬底上形成的另一电路晶体管 的栅极氧化膜(GO2)和栅极(GT2)分别是隧道氧化 膜(DO3)和浮动栅极(FGT)。一存储器单元具有两元件一比特构 成,其由一对非易失性存储器元件并带有成对互补数据线而组 成。对于成对非易失性存储器元件来说,可建立相互不同的阈值 电压状态,使得它们可差动地读出。在读操作中的字线电压基本 上等于非易失性存储器元件热均衡状态下的阈值电压(初始阈 值电压),其中最好是存储器元件的高阈值电压和低阈值电压的 平均值。不论成对的非易失性存储器元件是否处于高阈值电压 状态或是低阈值电压状态,其阈值电压易于逐渐接近初始阈值 电压,使其性能变差。在此时,字线选择电压基本上等于初始阈 值电压,使得即使在某个存储器元件的性能相对逐渐变坏时也 很难出现读出故障。

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