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快闪参考存储单元的制造方法

申请号: CN01110213
申请日: 20010402
公开(公告)号: CN1378272A
公开(公告)日: 20021106
IPC分类号: H01L21/8239
主分类号: H01L21/8239
申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
发明人: 陈炳勋;骆冀野
优先权号: 暂未提供
优先权日: 20050928
地区: 台湾;71
申请人地址: 台湾新竹科学工业园区研新三路四号
代理人: 王学强
专利代理机构: 北京集佳专利商标事务所
一种快闪参考存储单元的制造方法。形成浮置井 区于半导体基底中,形成第一介电层覆盖于半导体基底上,形成 已定义的浮栅于对应浮置井区的第一介电层上,形成第二介电 层覆盖于半导体基底上,定义第二介电层以形成接触窗并暴露 出部分浮栅,进行重离子植入工艺,于暴露出的浮栅中植入离子, 形成第三介电层覆盖于半导体基底上并填满接触窗。本发明系 在半导体基底中形成有一浮置井区,以做为隔离浮栅与半导体 基底的隔离层之用,有效避免后续工序可能造成的接触窗过度 蚀刻及/或浮栅对准错误的问题,并透过重离子植入工艺来增加 部分浮栅的掺杂量,以降低浮栅接触窗的阻值,有效改善快闪参 考存储单元的RC延迟,进而可提升组件的操作速度。

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