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硅基组合物、低介电常数膜、半导体器件以及制造低介电常数膜的方法

申请号: CN01133846
申请日: 20011224
公开(公告)号: CN1376740A
公开(公告)日: 20021030
IPC分类号: C08L83/06;H01L23/28
主分类号: C08L83/06
申请(专利权)人: 富士通株式会社
发明人: 中田义弘;铃木克己;杉浦严;矢野映
优先权号: JP 84475/01
优先权日: 20050928
地区: 日本;JP
申请人地址: 日本神奈川县
代理人: 庞立志;王其灏
专利代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
一种组合物,包含硅氧烷树脂、基本上由硅、碳和 氢构成的硅化合物,其中在一分子的主链中形成-X-键的碳 与硅原子数之比范围为2∶1~12∶1,其中X是(C)m,其中m是1~3的整数,或者9个或更少碳原子的取代或未取代的芳香族基团和溶剂,对该组合物进行热处理以形成低介电常数膜。因此,提供了一种具有优异的耐化学品性和优异的耐潮性的低介电常数膜。通过采用该膜可制造出能快速响应的半导体集成电路。

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