首页> 专利搜索> 离子注入机中的高效率扫描

离子注入机中的高效率扫描

申请号: CN01809373
申请日: 20010515
公开(公告)号: CN1429397A
公开(公告)日: 20030709
IPC分类号: H01J37/317;H01J37/147
主分类号: H01J37/317
申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备联合公司
发明人: 唐纳德·W·伯里安
优先权号: US 60/204,285
优先权日: 20060517
地区: 美国;US
申请人地址: 美国马萨诸塞州
代理人: 过晓东
专利代理机构: 永新专利商标代理有限公司
离子注入装置包括用来产生离子束的离子束发 生器、用来在第一方向上横越工件扫描离子束的扫描器、用来 在第二方向上这样平移工件以使离子束分布在工件上的机械 平移器、以及用来控制平移速度和射束扫描宽度以限制离子束 离开工件的时间的控制器。在半导体晶片的情况下,在射束扫 描宽度中平移速度是受控的,以便产生大体上圆形的扫描图 案。

免责声明:搜企信息来源于网络,搜企网不对内容的真实性、准确性和合法性负责,请用户慎重选择使用该信息。搜企网作为信息获取平台不参与用户间因交易而产生的法律纠纷,纠纷由您自行协商解决。

友情提醒:由于网络信息更新速度快、来源较多,当您在使用搜企所提供的信息时,企业的信息可能已经发生变更,请在使用搜企提供的信息前,慎重核实,搜企不做任何形式的保证和担保。

知识产权声明:如网站显示的任何信息侵犯您的知识产权,请您尽快联系搜企网工作人员处理,搜企网保护您合法的知识产权!

联系方式:service#soqi.com(#=@)是处理侵权投诉的专用邮箱,在您的合法权益收到侵害时,欢迎您向该邮箱发送邮件,我们会在3个工作日内给您答复,感谢您对搜企网的关注与支持!