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一种快速存储器的浮置栅制造方法及其结构

申请号: CN02105010
申请日: 20020210
公开(公告)号: CN1438693A
公开(公告)日: 20030827
IPC分类号: H01L21/82;H01L21/28;H01L27/10
主分类号: H01L21/82
申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人: 谢佳达
优先权号: 暂未提供
优先权日: 20050928
地区: 台湾;71
申请人地址: 台湾省新竹
代理人: 楼仙英
专利代理机构: 隆天国际知识产权代理有限公司
一种快速存储器的浮置栅具有高电容耦合率且 可自动对准扩散的制造方法及结构。首先,提供一基底,该基 底中具有第一沟槽,以形成一第一绝缘物在该第一沟槽内,且 该第一绝缘物突出该基底表面,并在该基底上形成一第二沟 槽。其次,于该基底表面形成一第二绝缘层,以及在该第一绝 缘物及该第二绝缘层表面,顺应性地形成一第一导体层。接下 来,形成侧壁间隔物于该第二沟槽两侧之该第一导体层上,形 成一第二导体层在该侧壁间隔物及该第一导体层表面上。最 后,同时去除部分该第二导体层及部分该第一导体层,以形成 插塞导体层在该侧壁间隔物之间及衬垫导体层在该第二沟槽 表面。

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