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具有多阶输出电流的非易失存储器编程、读取与擦除方法

申请号: CN03133041
申请日: 20030723
公开(公告)号: CN1479316A
公开(公告)日: 20040303
IPC分类号: G11C16/06;G11C16/10;G11C16/26
主分类号: G11C16/06
申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
发明人: 郭东政;刘建宏;潘锡树;黄守伟
优先权号: US 10/064,518
优先权日: 20080102
地区: 台湾;71
申请人地址: 台湾省新竹科学工业园区
代理人: 蒲迈文;黄小临
专利代理机构: 北京市柳沈律师事务所
本发明提供一种具有多阶输出电流的非易失性 存储器的编程、读取与擦除方法。该非易失性存储器内的各存 储器单元包含有一由两绝缘层包覆的非导体介电层,该非导体 介电层中具有一第一区域及一第二区域。经由储存电子于各该 存储器单元的第一区域及第二区域与否,可得到具有不同启始 电压的存储器单元。而当读取具有不同启始电压的存储器单元 时,可检测到多阶的输出电流,因此可得到一多阶输出电流的 非易失性存储器。

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