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色心蓝宝石衬底的制备方法

申请号: CN200310108224
申请日: 20031028
公开(公告)号: CN1540718A
公开(公告)日: 20041027
IPC分类号: H01L21/18;H01L21/08;H01L21/328
主分类号: H01L21/18
申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
发明人: 蒋成勇;徐军;周圣明;杨卫桥;周国清;王银珍;彭观良;邹军;刘士良;张俊计;邓佩珍
优先权号: 暂未提供
优先权日: 20060517
地区: 上海;31
申请人地址: 201800上海市800-211邮政信箱
代理人: 张泽纯
专利代理机构: 上海新天专利代理有限公司
一种色心蓝宝石衬底的制备方法,包括下列步 骤:对已切割并抛光的蓝宝石衬底进行中子辐照,辐照剂量约为1015-1020neutron/cm2;采用金属有机物气相沉积法(MOCVD法)在已辐照后的蓝宝石衬底上外延生长GaN层;采用248nm的KrF准分子激光对芯片进行划片;采用裂片机进行裂片,然后进行芯片探针测试及芯片分类。本发明的优点是:通过辐照使蓝宝石衬底划片处产生较高浓度的F类色心,增大对激光的吸收,有利于划片时提高划痕质量及划片效率;同时减小划片时激光的热效应对GaN层的光电性能的影响;此外辐照过程可以多个样品同时进行,有利于大批量生产。

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