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无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法

申请号: CN200510006769
申请日: 20050204
公开(公告)号: CN1815213A
公开(公告)日: 20060809
IPC分类号: G01N27/14;G01N27/00;G01N25/00
主分类号: G01N27/14
申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
发明人: 赵建华;蒋春萍;郑厚植;邓加军;杨富华;牛智川;吴晓光
优先权号: 暂未提供
优先权日: 20080820
地区: 北京;11
申请人地址: 100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理人: 汤保平
专利代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
一种通过测量输运性质确定稀磁半导体镓锰砷 铁磁转变温度的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1: 将镓锰砷样品刻蚀成霍尔元件形状,采用铟压焊技术制作电 极,该电极与恒流源和电压表连接;步骤2:将步骤1所述的 霍尔元件放入闭循环制冷系统中;步骤3:测量霍尔元件切向 电阻与温度的关系曲线,确定镓锰砷导电特征从绝缘性转变到 金属性的相变温度,从而确定镓锰砷薄膜的铁磁转变温度。

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