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半导体器件及其制造方法

申请号: CN200510078700
申请日: 20050628
公开(公告)号: CN1716590A
公开(公告)日: 20060104
IPC分类号: H01L23/52;H01L27/00;H01L21/768;H01L21/02
主分类号: H01L23/52
申请(专利权)人: 株式会社东芝
发明人: 东和幸;松永范昭
优先权号: JP 2004-189929
优先权日: 20080702
地区: 日本;JP
申请人地址: 日本东京都
代理人: 王以平
专利代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
与本发明的例子有关的半导体器件包括:多个芯 片区域11,形成具有采用金属布线的多层布线构造的半导体集 成电路,成为分别独立的芯片;多个芯片圈,具有采用金属布 线的多层布线构造,分别包围多个芯片区域,其中,多个芯片 圈12相互间电连接在一起。

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