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制造具有介电层表面处理的电子器件的方法

申请号: CN200580039067
申请日: 20050826
公开(公告)号: CN100593249C
公开(公告)日: 20100303
IPC分类号: H01L51/00
主分类号: H01L51/00
申请(专利权)人: 3M创新有限公司
发明人: 蒂莫西·D·邓巴;托米·W·凯利
优先权号: S 10/954,413
优先权日: 20100303
地区: 美国;US
申请人地址: 美国明尼苏达州
代理人: 郇春艳;郭国清
专利代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
一种制造电子器件的方法,所述方法为:(a)使用选自(i)等离子体 聚合含单体的前体和(ii)从包括一种或多种单体共聚单元的聚合物的靶 进行溅射的等离子体基沉积技术,在介电层上沉积基本上非氟化的聚 合物层,所述单体选自芳族单体、基本上为烃的单体和其组合;以及(b) 沉积与所述聚合物层相邻的有机半导体层。

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