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半反射半穿透液晶显示器的阵列基板的制造方法

申请号: CN200610094333
申请日: 20060630
公开(公告)号: CN1869781A
公开(公告)日: 20061129
IPC分类号: G02F1/1333;G03F7/20;H01L21/00
主分类号: G02F1/1333
申请(专利权)人: 广辉电子股份有限公司
发明人: 林士杰
优先权号: 暂未提供
优先权日: 20080820
地区: 台湾;71
申请人地址: 台湾省桃园县
代理人: 任默闻
专利代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
一种半反射半穿透液晶显示器的阵列基板的制 造方法,包含:依序形成一透明导电层和一第一金属层于一基 板上;定义第一金属层与透明导电层;依序形成一第一保护层 和一第二金属层于基板上;定义第二金属层,以形成栅极、第 一导线和电容线,其中电容线、其下的第一保护层与透明导电 层构成一储存电容器;形成一介电层于基板上;移除像素穿透 区域上方的介电层和第二金属层和侧边的部分第一保护层,移 除第一导线的一末端周围的介电层和第一保护层;形成一信道 区域于栅极正上方的介电层上;形成一第三金属层于基板上; 定义第三金属层;形成一第二保护层于基板上;以及定义第二 保护层和第一保护层。减少了使用的掩膜数,提高穿透区的开 口率及显示器的辉度。

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