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存储装置及半导体装置

申请号: CN200610111049
申请日: 20060811
公开(公告)号: CN1953232A
公开(公告)日: 20070425
IPC分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/00;H01L27/28;H01L27/30;H01L27/32
主分类号: H01L51/42
申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
发明人: 汤川干央
优先权号: JP 2005-234387
优先权日: 20100303
地区: 日本;JP
申请人地址: 日本神奈川县
代理人: 张鑫
专利代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
本发明揭示一种写入的可靠性高且价格低的存 储装置及半导体装置。此外,本发明揭示一种具有非易失性存 储元件的存储装置及半导体装置,其中,除了制造时能够进行 追记之外,并可以防止由改写引起的伪造等。本发明的存储元 件,包括第一导电层;第二导电层;以及包含有机化合物的层, 该包含有机化合物的层形成在第一导电层和第二导电层之间, 并且具有能够因电子和空穴的再结合能而成为激发状态的光 敏氧化还原剂、以及能够因光敏氧化还原剂而引起反应的基 质。

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