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硅基螺旋电感器件等效电路双Π非对称模型参数的提取方法

申请号: CN200610116241
申请日: 20060920
公开(公告)号: CN101149761B
公开(公告)日: 20120208
IPC分类号: G01R31/00
主分类号: G01R31/00
申请(专利权)人: 爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司
发明人: 姜楠;黄风义
优先权号: 暂未提供
优先权日: 20120208
地区: 上海;31
申请人地址: 201203 上海市张江高科技园区郭守敬498号浦东软件园22号楼201-203室
代理人: 暂未提供
专利代理机构: 暂未提供
本发明涉及提取硅基螺旋电感器件等效电路双∏非对称模型参数的方法。本发明“硅基螺旋电感器件等效电路双∏非对称模型参数的提取方法”属于微电子与集成电路领域。本方法是关于硅基在片螺旋电感器件的等效电路,特别是双π非对称等效电路模型参数提取的一种新型解析算法。这种方法是在测试S-参数的基础上,通过对螺旋电感非对称双∏等效电路的分析,把双π模型转化为两个级联的单π模型。并发现了一系列反映电感器件最重要特性的特征函数。根据特征函数的系数,可直接求出等效电路模型的主要参数值。本算法可以解决传统的迭代和拟合方法中存在的多值性和非最佳解等问题,并且可以实现同测试结果高精度的吻合。

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