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一种用于片上电感的高频等效电路结构及其参数计算方法

申请号: CN200610116252
申请日: 20060920
公开(公告)号: CN101149762A
公开(公告)日: 20080326
IPC分类号: G06F17/50
主分类号: G06F17/50
申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司;
发明人: 李平梁;曾令海;徐向明
优先权号: 暂未提供
优先权日: 暂未提供
地区: 上海;31
申请人地址: 201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理人: 丁纪铁;李隽松
专利代理机构: 上海浦一知识产权代理有限公司
本发明公开了一种用于片上电感的高频等效电路结构及其参数计算方法,本发明的电路结构包括:一电感以表示高频电感外电感值,二电容以表示顶层金属到衬底的氧化层电容,二并联结构以模拟有损耗的衬底,一电阻以表示接触孔的接触电阻,一电容以表示两端口之间两层金属的电容耦合,一梯型结构子电路以模拟趋肤效应。本发明梯型结构子电路中约束关系为上述公式(1),其中,Lint为内电感,RDC为直流电阻,Ri为第i层电阻Li为第i层电感,i=1-4,并且有上述公式(2)的关系;且在低频时,梯型结构子电路总相位等于内电感与直流电阻的组合相位。本发明十分适合电路设计的使用,可较易的建立电感模型。

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