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适用于光电子和电子器件中的复合膜

申请号: CN200680012838
申请日: 20060316
公开(公告)号: CN101160674B
公开(公告)日: 20120718
IPC分类号: H01L51/00;B29C55/06;C08L67/03
主分类号: H01L51/00
申请(专利权)人: 杜邦帝人薄膜美国有限公司
发明人: 威廉·阿拉斯代尔·麦克唐纳;弗兰克·普拉奇多;罗伯特·威廉·伊夫森
优先权号: GB 05055173
优先权日: 20120718
地区: 美国;US
申请人地址: 美国特拉华州
代理人: 章社杲;李丙林
专利代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
本发明涉及一种复合膜的制造方法和一种电子或者光电子器件的制造方法。所述方法包括以下步骤:(i)形成聚合物衬底层;(ii)至少在一个方向上拉伸该衬底层;(iii)在约19到75kg/m膜宽度范围内的张力的尺寸控制条件下,在高于衬底聚合物的玻璃转化温度但低于其熔化温度的温度下进行热定形;(iv)在高于衬底的聚合物玻璃转化温度但低于其熔化温度的温度下对该膜进行热稳定化;(v)应用平面化涂层组合物,使所述涂层衬底的表面表现出小于0.6nm的Ra值和/或小于0.8nm的Rq值;(vi)通过使用高能量气相沉积法提供厚度为2nm到1000nm的无机屏蔽层;以及,优选地,(vii)提供包括所述聚合物衬底层、所述平面化涂层和所述无机屏蔽层的复合膜,用作所述电子或者光电子器件中的衬底、以及所述复合膜和所述电子或者光电子器件本身。

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