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包括高电压产生电路的半导体器件及产生高电压的方法

申请号: CN200710004441
申请日: 20070122
公开(公告)号: CN101154464B
公开(公告)日: 20120516
IPC分类号: G11C16/30;G11C16/32
主分类号: G11C16/30
申请(专利权)人: 三星电子株式会社
发明人: 边大锡;蔡东赫
优先权号: KR 10-2006-0094799
优先权日: 20120516
地区: 韩国;KR
申请人地址: 韩国京畿道
代理人: 戎志敏
专利代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司 11021
公开了一种半导体存储器件,所述器件包括第一泵时钟产生器,配置用于基于电源电压产生第一泵时钟信号。所述器件还包括第一电荷泵,配置用于响应于第一泵时钟信号产生第一泵输出电压。所述器件还包括第二泵时钟产生器,配置用于基于第一泵输出电压产生第二泵时钟信号。所述器件还包括第二电荷泵,配置用于响应于第二泵时钟信号产生第二泵输出电压。所述器件还包括开关单元,配置用于将第一电荷泵与第二电荷泵选择性地相连。

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