首页> 专利搜索> 氮化物半导体发光装置

氮化物半导体发光装置

申请号: CN200810004903
申请日: 20080129
公开(公告)号: CN101237014A
公开(公告)日: 20080806
IPC分类号: H01L33/00
主分类号: H01L33/00
申请(专利权)人: 夏普株式会社;
发明人: 小河淳;相生明雄;驹田聪;中津弘志
优先权号: JP 019647/07
优先权日: 20100303
地区: 日本;JP
申请人地址: 日本大阪府
代理人: 彭久云
专利代理机构: 北京市柳沈律师事务所
一种氮化物半导体发光装置,包括衬底,以及从靠近衬底一侧开始依次堆叠在该衬底上的第一n型氮化物半导体层、发射层、p型氮化物半导体层、金属层和第二n型氮化物半导体层,其中电极提供在第二n型氮化物半导体层的表面上或者在所述第二n型氮化物半导体层的表面的上方。该金属层优选由贮氢合金制造。

免责声明:搜企信息来源于网络,搜企网不对内容的真实性、准确性和合法性负责,请用户慎重选择使用该信息。搜企网作为信息获取平台不参与用户间因交易而产生的法律纠纷,纠纷由您自行协商解决。

友情提醒:由于网络信息更新速度快、来源较多,当您在使用搜企所提供的信息时,企业的信息可能已经发生变更,请在使用搜企提供的信息前,慎重核实,搜企不做任何形式的保证和担保。

知识产权声明:如网站显示的任何信息侵犯您的知识产权,请您尽快联系搜企网工作人员处理,搜企网保护您合法的知识产权!

联系方式:service#soqi.com(#=@)是处理侵权投诉的专用邮箱,在您的合法权益收到侵害时,欢迎您向该邮箱发送邮件,我们会在3个工作日内给您答复,感谢您对搜企网的关注与支持!