首页> 专利搜索> 基于含锑的肖特基二极管及自对准制造方法

基于含锑的肖特基二极管及自对准制造方法

申请号: CN200810207453
申请日: 20081219
公开(公告)号: CN101436614A
公开(公告)日: 20090520
IPC分类号: H01L29/872;H01L21/822
主分类号: H01L29/872
申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人: 张 挺;宋志棠;顾怡峰;刘 波;封松林
优先权号: 暂未提供
优先权日: 20110511
地区: 上海;31
申请人地址: 200050上海市长宁区长宁路865号
代理人: 余明伟;冯 珺
专利代理机构: 上海光华专利事务所
本发明提供一种基于含锑的肖特基二极管,其包括:轻掺杂的半导体层及与所述轻掺杂 的半导体层紧密接触的金属层,其中所述金属层含锑。此外,本发明还提供多种自对准制造 基于含锑的肖特基二极管阵列的方法,首先在本征或第一导电类型半导体基底上形成第二导 电类型的重掺杂层,然后在第二导电类型的重掺杂层上形成第二导电类型的轻掺杂区,接着 采用自对准法在轻掺杂区沉积含锑的金属区,使各金属区与相应的轻掺杂区形成肖特基接触 进而制造出肖特基二极管阵列。

免责声明:搜企信息来源于网络,搜企网不对内容的真实性、准确性和合法性负责,请用户慎重选择使用该信息。搜企网作为信息获取平台不参与用户间因交易而产生的法律纠纷,纠纷由您自行协商解决。

友情提醒:由于网络信息更新速度快、来源较多,当您在使用搜企所提供的信息时,企业的信息可能已经发生变更,请在使用搜企提供的信息前,慎重核实,搜企不做任何形式的保证和担保。

知识产权声明:如网站显示的任何信息侵犯您的知识产权,请您尽快联系搜企网工作人员处理,搜企网保护您合法的知识产权!

联系方式:service#soqi.com(#=@)是处理侵权投诉的专用邮箱,在您的合法权益收到侵害时,欢迎您向该邮箱发送邮件,我们会在3个工作日内给您答复,感谢您对搜企网的关注与支持!